0.18μm CMOS射频低噪声放大器设计

• 作者: 孟泽 张子博 郝建华 陈宜文
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS 低噪声放大器 噪声系数 阻抗匹配
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 98-100,104
• 页数: 4页
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文

摘要

基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺，设计了一种工作于2.4 GHz频段的低噪声放大器。电路采用Cascode结构，为整个电路提供较高的增益，然后进行了阻抗匹配和噪声系数的性能分析，最后利用ADS2009对其进行了模拟优化。最后仿真结果显示。该放大器的正向功率增益为14 dB，噪声系数小于2 dB，1 dB压缩点为-13 dBm，功耗为7.8 mW，具有良好的综合性能指标。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝建华	装备学院光电装备系	18	98	5.0	9.0