霍尔推进器壁面材料二次电子发射及鞘层特性

• 作者: 刘金远 卿少伟 周新维 曹安宁 段萍 覃海娟
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 霍尔推进器 壁面材料 鞘层二次电子发射
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 085204-1-085204-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.085204

摘要

霍尔推进器放电通道等离子体与壁面相互作用形成鞘层,不同壁面材料的二次电子发射对推进器鞘层特性具有重要影响。本文针对推进器壁面鞘层区域建立二维物理模型,研究了氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)和三氧化二铝(Al2 O3)三种不同壁面材料的二次电子发射特性,在改进SiC材料二次电子发射模型的基础上,采用粒子模拟方法,讨论了壁面二次电子发射系数与电子温度和磁场强度的关系,研究了三种材料(BN, SiC和Al2O3)的鞘层特性。结果表明：修正的二次电子发射模型拟合曲线与实验曲线几乎一致；在相同电子温度下,三种材料(BN, SiC和Al2 O3)的二次电子发射系数和壁面电子数密度依次增大,而鞘层电场和鞘层电势降依次减小。 BN材料具有合适的二次电子发生射系数,使得霍尔推进器能在低电流下稳态工作。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段萍	大连海事大学物理系	18	62	6.0	7.0
2	刘金远	大连理工大学物理与光电工程学院	29	158	8.0	10.0
3	周新维	大连海事大学物理系	4	36	4.0	4.0
4	覃海娟	大连海事大学物理系	4	36	4.0	4.0
5	曹安宁	大连海事大学物理系	4	36	4.0	4.0
6	卿少伟	重庆大学动力工程学院	1	8	1.0	1.0