高k栅介质GeOI 金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计

• 作者: 刘璐 徐静平 白玉蓉 范敏敏 黄勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GeOI MOSFET 阈值电压 亚阈斜率 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 087301-1-087301-9
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.087301

摘要

通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程，同时考虑垂直沟道与埋氧层方向的二阶效应，建立了高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的阈值电压和亚阈斜率解析模型，研究了器件主要结构参数对器件阈值特性、亚阈特性、短沟道效应、漏极感应势垒降低效应及衬偏效应的影响，提出了优化器件性能的结构参数设计原则及取值范围。模拟结果与TCAD仿真结果符合较好，证实了模型的正确性与实用性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学光学与电子信息学院	88	358	9.0	13.0
2	刘璐	华中科技大学光学与电子信息学院	33	220	8.0	14.0
3	黄勇	华中科技大学光学与电子信息学院	24	152	6.0	11.0
4	白玉蓉	华中科技大学光学与电子信息学院	2	3	1.0	1.0
5	范敏敏	华中科技大学光学与电子信息学院	2	3	1.0	1.0