电力电子中的碳化硅（SiC）

• 作者: Volker Demuth
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: SiC混合模块 开关损耗
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN86

摘要

SiC是提高功率模块中功率密度的一种理想材料，SiC功率器件具有非常低的开关损耗，热传导率很低。本文介绍了SiC混合模块（传统IGBT和SiC肖特基二极管）和全SiC模块的性能，并与传统硅续流二极管（CALHD）和快速硅二极管进行比较。．