沉积温度对钛硅共掺杂类金刚石薄膜生长、结构和力学性能的影响

• 作者: 姜金龙 杨华 王善民 王琼 郝俊英 魏智强 黄浩
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 类金刚石薄膜 共掺杂 沉积温度 结构与性能
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 028104-1-028104-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.028104

摘要

采用中频磁控溅射Ti80Si20复合靶在单晶硅表面制备了共掺杂的类金刚石薄膜。研究了沉积温度对薄膜生长速率、化学成分、结构、表面性质和力学性能的影响。结果表明：随沉积温度升高，薄膜生长速率降低，薄膜Ti和Si原子浓度增加， C原子浓度降低；在高温下沉积的薄膜具有低sp3 C 含量、低表面接触角、低内应力和高的硬度与弹性模量。基于亚表层注入生长模型分析了沉积温度对薄膜生长和键合结构的影响，从薄膜生长机制和微观结构解释了表面性质和力学性能的变化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏智强	兰州理工大学应用物理系	81	508	12.0	19.0
2	杨华	兰州理工大学应用物理系	38	127	7.0	9.0
3	姜金龙	兰州理工大学应用物理系	29	252	8.0	15.0
7	黄浩	兰州理工大学应用物理系	4	35	3.0	4.0
8	王琼	兰州理工大学应用物理系	5	17	2.0	4.0
9	郝俊英	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	9	122	7.0	9.0
10	王善民	兰州理工大学应用物理系	1	8	1.0	1.0