基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究

• 作者: 吴晓松 李玉鹏 褚学宁
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 氮化硅薄膜 正交试验 工艺参数
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 页码范围: 1913-1920
• 页数: 8页
• 分类号: TQ153.1|TP391.7
• 字数: 3886字
• 语种: 中文

摘要

利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题.鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数.国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚学宁	上海交通大学机械与动力工程学院	67	602	16.0	21.0
2	李玉鹏	上海交通大学机械与动力工程学院	9	87	6.0	9.0
3	吴晓松	上海交通大学机械与动力工程学院	7	13	2.0	3.0