IGBT内部热电耦合分析方法

• 作者: 金星 魏秀琴
• 来源期刊: 企业技术开发
• 学科: 工学
• 关键词: 牵引力 半导体 IGBT 芯片 温度分布
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 9-10
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

铁路以牵引动力大、重量轻、体积小、可靠性高、运行成本低及速度快等特点为发展方向,决定了机车传动系统采用先进的交流传动系统已成为必然。随着IGBT功率等级和开关频率的提高,IGBT的工作性能和寿命的受热影响会越来越大。将IGBT细胞元的边界条件与半导体的基本方程结合起来求解出其内部的温度场,知道在芯片内部温度比较高的区域,并且找出影响温度分布的因素,从而找出降低温度的办法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏秀琴	兰州交通大学机电工程学院	5	7	1.0	2.0
2	金星	兰州交通大学机电工程学院	5	7	1.0	2.0