外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响

• 作者: 孙骞 彭景阳 李玉栋 许京军 陈宗强 齐继伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺铁铌酸锂晶体 磁场 光擦除
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 页码范围: 1895-1900
• 页数: 6页
• 分类号: O467.3
• 字数: 2416字
• 语种: 中文

摘要

研究了外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响.在写入和擦除过程中分别或同时外加磁场,测量了不同擦除光强下磁场对光栅擦除过程的影响.结果表明,外加磁场对折射率光栅擦除时间存在明显影响.在光栅写入或光栅擦除过程分别外加磁场时,光栅擦除时间增加;但是当在写入和擦除过程同时外加磁场时,光栅的擦除时间明显变短.擦除时间变化与擦除光强相关,擦除光强越弱,磁场对擦除时间的变化越明显.进一步的研究发现擦除时间的变化来自于磁场对铌酸锂晶体中等效暗电导的影响.以上实验结果显示,外加磁场可以成为掺铁铌酸锂晶体光折变光栅的调控手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许京军	南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学教育部重点实验室	80	471	12.0	17.0
2	陈宗强	南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学教育部重点实验室	13	13	2.0	3.0
3	李玉栋	南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学教育部重点实验室	9	18	3.0	4.0
4	齐继伟	南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学教育部重点实验室	7	10	2.0	3.0
5	彭景阳	南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学教育部重点实验室	3	19	2.0	3.0