325 MHz超导腔输入耦合器镀铜层厚度的实验研究

• 作者: 彭应华 林海英 潘卫民 谷魁祥 陈旭 马强 黄彤明
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 超导腔 高功率输入耦合器 镀铜 漏热
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 加速器技术
• 页码范围: 245-248
• 页数: 4页
• 分类号: TL503.2
• 字数: 2330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.125103

摘要

通过对工作在325 MHz、镀铜厚度分别为10,20,30μm的耦合器外导体进行高功率测试,研究了超导腔输入耦合器外导体内壁镀铜层厚度与漏热的依赖关系,目的在于寻找最优化的铜层厚度来降低超导腔输入耦合器的低温漏热.实验结果表明,20 μm铜层的耦合器具有较低的动态损耗.综合考虑静态损耗与动态损耗,则20μm铜层厚度为最优化的铜层厚度.