高k栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型?

• 作者: 刘璐 徐静平 白玉蓉 程智翔 范敏敏 黄勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管 漏源电流模型 跨导 截止频率
• 年，卷（期）: 2014,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237304-1-237304-9
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.237304

摘要

通过求解沟道的二维泊松方程得到沟道表面势和沟道反型层电荷，建立了高k栅介质小尺寸绝缘体上锗(GeOI) p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的漏源电流解析模型。模型包括了速度饱和效应、迁移率调制效应和沟长调制效应，同时考虑了栅氧化层和埋氧层与沟道界面处的界面陷阱电荷、氧化层固定电荷对漏源电流的影响。在饱和区和非饱和区，漏源电流模拟结果与实验数据符合得较好，证实了模型的正确性和实用性。利用建立的漏源电流模型模拟分析了器件主要结构和物理参数对跨导、漏导、截止频率和电压增益的影响，对GeOI PMOSFET的设计具有一定的指导作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学光学与电子信息学院	88	358	9.0	13.0
2	刘璐	华中科技大学光学与电子信息学院	33	220	8.0	14.0
3	黄勇	华中科技大学光学与电子信息学院	24	152	6.0	11.0
4	程智翔	华中科技大学光学与电子信息学院	3	3	1.0	1.0
5	白玉蓉	华中科技大学光学与电子信息学院	2	3	1.0	1.0
6	范敏敏	华中科技大学光学与电子信息学院	2	3	1.0	1.0