Ni/HfO2/Pt阻变单元特性与机理的研究

• 作者: 庞华 邓宁
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 阻变存储 二氧化铪薄膜 导电细丝
• 年，卷（期）: 2014,（14）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 147301-1-147301-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.147301

摘要

研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理。该器件具有forming-free的性质，还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的非极性阻变特性，并且具有较大的存储窗口值(>105)。存储单元的低阻态阻值不随单元面积改变，符合导电细丝阻变机理的特征。采用X射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态时的阻变层HfO2薄膜的化学组分以及元素的化学态，结果表明， Ni/HfO2/Pt阻变存储器件处于低阻态时的导电细丝是由金属Ni导电细丝和氧空位导电细丝共同形成的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宁	清华大学微电子学研究所	34	145	7.0	10.0
2	庞华	清华大学微电子学研究所	2	0	0.0	0.0