Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究

• 作者: 吴国庆 张伟 徐朝鹏 王倩 王永贞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Tl掺杂InI 电子结构 吸收光谱 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（14）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 147102-1-147102-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.147102

摘要

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，建立了未掺杂与不同浓度的Tl 原子取代In原子的In1-xTlxI超胞模型，分别对模型进行了几何优化、能带分布、态密度分布和吸收光谱的计算。结果表明： Tl 掺杂浓度越小， In1-xTlxI形成能越低，晶体结构越稳定； Tl的掺入使得InI体系导带向高能方向移动，而价带顶位置基本没变，导致禁带宽度变宽， InI吸收光谱出现明显蓝移现象。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	89	833	13.0	26.0
2	徐朝鹏	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	17	56	5.0	7.0
3	吴国庆	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	11	57	4.0	7.0
4	王倩	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	18	42	5.0	5.0
5	王永贞	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	4	13	2.0	3.0