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CCD曝光工艺常见缺陷及解决办法
CCD曝光工艺常见缺陷及解决办法
作者:
向鹏飞
杨修伟
袁安波
邓涛
高建威
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CCD
曝光
缺陷
图形
摘要:
CCD器件曝光过程中会产生各种缺陷,由此会对线宽和图形产生不良影响.文中针对这些缺陷分析了成因并找到相应的解决办法,形成严谨的工艺规范以达到消除缺陷的目的,同时使得工艺能力和成品率得到了显著提升.
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文献信息
篇名
CCD曝光工艺常见缺陷及解决办法
来源期刊
电子科技
学科
工学
关键词
CCD
曝光
缺陷
图形
年,卷(期)
2014,(11)
所属期刊栏目
电子·电路
研究方向
页码范围
160-162
页数
3页
分类号
TP212.9
字数
2063字
语种
中文
DOI
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研究起点
研究来源
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研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
主办单位:
西安电子科技大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1007-7820
CN:
61-1291/TN
开本:
大16开
出版地:
西安电子科技大学
邮发代号:
创刊时间:
1987
语种:
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
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