Ga掺杂对纤锌矿TM0.125Zn0.875O（TM=Be,Mg）电子结构和光学能隙的影响

• 作者: 俆开放 张涛 皮辉 范广涵 郑树文
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 密度泛函理论 光学能隙 Ga掺杂 Be0.125 Zn0.875 O和Mg0.125 Zn0.875 O
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 087101-1-087101-10
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.087101

摘要

利用密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对纤锌矿T M0.125Zn0.875O (T M =Be, Mg)合金和Ga掺杂T M0.125Zn0.875O的结构参数、能带、电子态密度和光学能隙进行计算和分析.结果表明： T M0.125Zn0.875O掺入Ga容易实现并且结构更稳定. T M0.125Zn0.875O合金掺Ga能获得很好的n型材料改性,能隙由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态决定.由于Burstein-Moss移动和多体效应, Ga掺杂后的T M0.125Zn0.875O光学能隙变大,这与实验结果相一致. T M0.125Zn0.875O掺Ga材料可作透明导电薄膜应用到紫外和深紫外光电子器件中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	147	1064	16.0	26.0
2	张涛	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	33	149	6.0	11.0
3	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	33	128	7.0	8.0
4	皮辉	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	3	7	2.0	2.0
5	俆开放	华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室	1	2	1.0	1.0