电极间距对μc-Si1-xGex：H薄膜结构特性的影响

• 作者: 严干贵 倪牮 张建军 曹宇 李天微 赵颖 黄振华
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 微晶硅锗 电极间距 滞留时间 射频等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 076801-1-076801-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.076801

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-xGex：H)薄膜。研究了电极间距对μc-Si1-xGex：H薄膜结构特性的影响。发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加。当电极间距降至7 mm时，μc-Si1-xGex：H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向，同时具有较低的微结构因子。通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态，认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的。在较窄的电极间距(7 mm)下，等离子体中GeH3基团的比例较大，增强了Ge前驱物的扩散能力，使μc-Si1-xGex：H薄膜的质量得到提高。