射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响

• 作者: 张彤晖 杨超 董丹 蒋百灵 郝娟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si薄膜 射频功率 微观结构 少子寿命
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 2835-2839
• 页数: 5页
• 分类号: TB321
• 字数: 3362字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理.研究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影响规律.结果表明:随射频功率的增加,Si薄膜的非晶结构无实质改变,但其少子寿命明显增强;经800℃真空退火处理后,Si薄膜的微观结构均由非晶态转变为晶态,晶化程度达60％以上,且少子寿命达到20 μs以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料科学与工程学院	241	5240	40.0	64.0
2	杨超	西安理工大学材料科学与工程学院	31	144	7.0	10.0
3	董丹	西安理工大学材料科学与工程学院	5	5	1.0	2.0
4	郝娟	西安理工大学材料科学与工程学院	7	6	1.0	2.0
5	张彤晖	西安理工大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0