CuCrSnZn合金性能与析出相界面电子结构关系的研究

• 作者: 张媛 高飞
• 来源期刊: 铸造技术
• 学科: 工学
• 关键词: 合金 相界面 电子密度
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 材料开发
• 页码范围: 1684-1685
• 页数: 2页
• 分类号: TG146.1
• 语种: 中文

摘要

通过EET和TFD两种理论计算了CuCrSnZn合金的相空间和析出相界面的电子结构,并分析了合金电子结构对其强度和软化温度的影响.结果表明,合金中的电子排列密度ρCr为29.67/nm2,ρcu为34.22/nm2,密度差△ρ为14.2％.相界面电子密度越大,合金的强化就越明显.相界面电子密度差越大,合金的软化温度就越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高飞		24	53	5.0	6.0
2	张媛		24	36	2.0	6.0