InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究?

• 作者: 宫箭 陈军 黎明
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 量子线 居留时间 共振隧穿 逃逸
• 年，卷（期）: 2014,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237303-1-237303-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.237303

摘要

在有效质量近似和绝热近似下，利用转移矩阵法研究了电子通过InAs/InP/InAs/InP/InAs柱形量子线共振隧穿二极管的输运问题，分析和讨论了电子居留时间以及电子的逃逸过程。详细研究了外加电场、结构尺寸效应对居留时间和电子逃逸的影响。居留时间随电子纵向能量的演化呈现出共振现象；同时，结构的非对称性对电子居留时间有很大的影响，随着结构非对称性的增加，居留时间表现出不同的变化。利用有限差分方法研究了非对称耦合量子盘中电子的相干隧穿逃逸过程。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宫箭	内蒙古大学物理科学与技术学院	8	20	2.0	4.0
2	黎明	内蒙古大学物理科学与技术学院	3	2	1.0	1.0
3	陈军	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	4	1.0	2.0