Hf0．2Zr0．8O2铁电薄膜的制备与电性能研究

• 作者: 刘兴鹏 吴智鹏 吴诗捷 朱俊 林亚丽 罗文博
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: HZO 薄膜 铁电 脉冲激光沉积 相变 XRD
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 研究??开发
• 页码范围: 17062-17065
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.17.013

摘要

采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposi-tion,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在 Pt/Ti/SiO 2/Si 衬底上制备了 Hf0．2 Zr0．8 O 2(HZO)薄膜.利用 X 射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征；并采用 Radiant RT66A 进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律.分析结果表明,HZO 铁电极化的原因主要是来自于 HfO 2-ZrO 2(111)正交相和 ZrO 2(002)四方相的影响.通过上述实验结果得到,在 Pt/Ti/SiO 2/Si衬底上制备 Hf0．2 Zr0．8 O 2薄膜的优化条件为氧分压18 Pa、衬底温度500℃.在优化条件下制备的 Hf0．2 Zr0．8 O 2薄膜,剩余极化(2P r )达到4μC/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学微电子与固体电子学院	34	102	5.0	6.0
2	罗文博	电子科技大学微电子与固体电子学院	25	79	5.0	6.0
3	刘兴鹏	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	2	1.0	1.0
4	吴智鹏	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	4	1.0	1.0
5	吴诗捷	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	5	1.0	2.0
6	林亚丽	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	2	1.0	1.0