直接带隙Ge1-xSnx本征载流子浓度研究?

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 白敏 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ge1-xSnx 直接带隙 本征载流子浓度
• 年，卷（期）: 2014,（23）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 238502-1-238502-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.238502

摘要

通过合金化改性技术， Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体。改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件，极具发展潜力。基于直接带隙Ge1?xSnx半导体合金8带Kronig-Penny模型，重点研究了其导带有效状态密度、价带有效状态密度及本征载流子浓度，旨在为直接带隙改性Ge半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有价值的参考。研究结果表明：直接带隙Ge1?xSnx合金导带有效状态密度随着Sn组分x的增加而明显减小，价带有效状态密度几乎不随Sn组分变化。与体Ge半导体相比，直接带隙Ge1?xSnx合金导带有效状态密度、价带有效状态密度分别低两个和一个数量级；直接带隙Ge1?xSnx合金本征载流子浓度随着Sn组分的增加而增加，比体Ge半导体高一个数量级以上。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
4	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	22	172	8.0	12.0
5	白敏	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	2	1.0	1.0