BiVO4晶体的坩埚下降法生长与性能研究

• 作者: 冯德圣 刘希涛 易志国 王静
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: BiVO4晶体 坩埚下降法 畴结构 接触角 电阻率
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 页码范围: 3104-3107
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2473字
• 语种: 中文

摘要

采用坩埚下降法成功生长出厘米尺寸的单斜相BiVO4晶体并利用X射线衍射仪、偏振光显微镜、接触角测量仪和静电计对其结晶形态、表面畴结构、接触角随光照时间的变化以及电阻率随温度的变化行为进行了研究.发现BiVO4晶体接触角随光照时间呈现先减小后增大的变化规律,同时电阻率随温度升高呈现先增大后减小的正温度系数效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易志国	中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室	4	34	3.0	4.0
2	王静	安徽理工大学材料科学与工程学院	34	244	7.0	15.0
3	刘希涛	中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室	2	5	1.0	2.0
4	冯德圣	安徽理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0