光脉冲对光导开关非线性导通性能的影响

• 作者: 吴朝阳 杨周炳 陆巍
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 光导开关 非线性 半导体二极管
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 267-270
• 页数: 4页
• 分类号: TM836
• 字数: 1685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.085003

摘要

设计了异面结构的GaAs光导开关,开关厚度为0.6 mm,电极间隙为3 mm.利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验.随着开关两端偏置电压不断升高,开关输出脉冲幅度线性增加,输出波形与光脉冲相似,当偏置电压超过一定阈值,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关进入了非线性工作模式.开关进入非线性模式,除了与偏置电压有关外,还与触发光脉冲前沿、能量有关,实验发现触发光脉冲前沿越快,能量越高,开关越容易进入非线性工作模式,所需的偏置电压也越低,但当电压低至某一阈值时(实验中约6 kV),即使增加触发光能,开关也无法进入非线性模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨周炳	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	30	181	9.0	11.0
2	陆巍	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	20	107	6.0	9.0
3	吴朝阳	中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室	6	18	2.0	4.0