UFeGa5单晶生长及晶体结构研究

• 作者: 张延志 徐钦英 罗丽珠 谢东华 赖新春 陈秋云
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: UFeGa5 助熔剂法 晶体结构 Rietveld方法
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 646-649
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.8
• 语种: 中文

摘要

采用镓自助熔剂的方法生长出了UFeGa5单晶,采用X射线衍射技术和Rietveld方法对UFeGa5晶体结构进行了研究.结果表明:生长出的UFeGa5单晶体结构完整,结晶性好.UFeGa5具有HoCoGa5型四方结构,空间群为P4/mmm(No.123),其晶格常数为a=0.42533(2) nm,c=0.67298(3) nm,并得到了透射电镜(TEM)实验验证.