近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究

• 作者: 介万奇 周岩 张昊 李嘉伟 查钢强 汤三奇 蔺云
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 近空间升华法 CdZnTe外延厚膜 PL谱 应变弛豫
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 10072-10075
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 2896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.015

摘要

采用近空间升华法在 GaAs (100)衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀；红外透过成像分析的结果表明, CdZnTe厚膜中无明显的 Te 夹杂相；X 射线摇摆曲线、PL 谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的 CdZnTe 外延膜；电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	张昊	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	15	17	3.0	3.0
3	查钢强	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	38	93	5.0	7.0
4	蔺云	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	周岩	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	7	9	2.0	2.0
6	汤三奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
7	李嘉伟	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0