基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量?

• 作者: 张超 徐强 方粮 王慧 隋兵才
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 低温电子束刻蚀 原位透射电子显微镜电学测量 InAs纳米线 库仑阻塞效应
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 248105-1-248105-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.248105

摘要

利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片，并结合自制的原位透射电镜样品台，实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量。研究发现，随着刻蚀区域截面积的减小，纳米线的电导率也随之减小。当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时，纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系。同时利用低温聚焦电子束刻蚀，在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点，并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量。通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应，发生了电子隧穿现象；而300 K时，热扰动提供的能量使这种现象消失。