InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法?

• 作者: 何斌太 刘国军 刘超 刘鹏程 安宁 魏志鹏
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InGaAsSb 禁带宽度 弯曲因子
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 248102-1-248102-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.248102

摘要

讨论了计算InGaAsSb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法，比较了它们的计算结果。将两者化成相同形式下的等价公式后发现，二者都只考虑了Γ点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响。通过考虑自旋轨道分裂带对价带的影响，提出一种将自旋轨道分裂带弯曲因子引入计算InGaAsSb禁带宽度的新方法。研究结果表明，该方法计算结果的准确性要优于两种常见的方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
2	安宁	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	11	2.0	2.0
3	何斌太	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	3	4	1.0	1.0
4	魏志鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	104	5.0	8.0
5	刘鹏程	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
6	刘超	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	5	15	2.0	3.0