具有N型缓冲层REBULF Sup er Junction LDMOS

• 作者: 曹震 杨银堂 段宝兴 袁小宁
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: lateral double-diffused MOSFET super junction 击穿电压 表面电场
• 年，卷（期）: 2014,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 227302-1-227302-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.227302

摘要

针对功率集成电路对低损耗LDMOS (lateral double-diffused MOSFET)类器件的要求，在N型缓冲层super junction LDMOS (buffered SJ-LDMOS)结构基础上，提出了一种具有N型缓冲层的REBULF (reduced BULk field) super junction LDMOS结构。这种结构不但消除了N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底带来的衬底辅助耗尽效应问题，使super junction的N区和P区电荷完全补偿，而且同时利用REBULF的部分N型缓冲层电场调制效应，在表面电场分布中引入新的电场峰而使横向表面电场分布均匀，提高了器件的击穿电压。通过优化部分N型埋层的位置和参数，利用仿真软件ISE分析表明，新型REBULF SJ-LDMOS的击穿电压较一般LDMOS提高了49%左右，较文献提出的buffered SJ-LDMOS结构提高了30%左右。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	段宝兴	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	52	4.0	5.0
3	曹震	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	14	3.0	3.0
4	袁小宁	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	14	3.0	3.0