半导体工业废水污染特征因子初探

• 作者: 程云
• 来源期刊: 绿色科技
• 学科: 地球科学
• 关键词: 半导体工业废水 雨污混接 氟离子浓度 污染特征因子
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 环境与安全
• 页码范围: 196-198
• 页数: 3页
• 分类号: X522
• 字数: 2388字
• 语种: 中文

摘要

指出了集成电路和印制电路板是半导体工业的主要组成部分，而在生产过程中会大量使用氢氟酸，使得虽经过处理后的生产废水中氟离子浓度仍较高，达到7 mg/L左右；通过将半导体企业排放废水与生活污水、地下水及地表水中氟离子浓度进行比较，提出了以氟离子浓度作为半导体工业废水的污染特征因子，并结合不同雨污混接类型污染特征因子，依据物料和水量守恒得出不同混接类型的近似混接水量比例计算公式，以期为后续的雨污混接溯源和雨污改造工程提供借鉴。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程云	同济大学污染控制与资源化国家重点实验室	2	11	1.0	2.0