两类纳米级非线性忆阻器模型及串并联研究

• 作者: 段书凯 王丽丹 胡小方 董哲康
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 忆阻器 非线性模型 串并联电路 图形用户界面
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 128502-1-128502-17
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.128502

摘要

忆阻器是一种新型的非线性动态可变电阻器，其阻值的变化依赖于通过它的电荷量或磁通量。作为第四种基本电路元器件，忆阻器在非易失性存储器、非线性电路及系统、神经形态系统等领域中有巨大的应用潜能。忆阻器串并联组合电路具有比单个忆阻器更为丰富的器件特性，引起了研究者越来越多的关注。本文推导了带有窗函数的闭合形式的电荷及磁通量控制的忆阻器非线性模型，能够有效地模拟忆阻器边缘附近的非线性离子迁移现象，同时保证忆阻器的边界条件。进一步，分别从忆阻器的器件参数和激励阈值两个角度，对忆阻器串并联电路进行了全面的理论推导和数值分析。为了更加直观地观察忆阻器串并联特性，设计了一种基于Matlab的忆阻器串并联图形用户界面，能够清晰地展示两种分类方式下忆阻系统的器件特性，可为忆阻器组合电路的后续研究提供良好的理论参考和实验依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段书凯	西南大学电子信息工程学院	62	480	14.0	19.0
2	王丽丹	西南大学电子信息工程学院	50	402	12.0	18.0
3	胡小方	香港城市大学机械与生物医学工程系	6	77	5.0	6.0
4	董哲康	西南大学电子信息工程学院	4	33	3.0	4.0