90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理

• 作者: 上官士鹏 余永涛 封国强 陈睿 韩建伟
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单粒子闩锁效应 器件仿真 多位翻转 脉冲激光
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 128501-1-128501-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.128501

摘要

基于单粒子效应脉冲激光实验装置，开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验，并给出了器件单粒子翻转效应位图。实验发现，器件出现了大量的多位翻转和约20 mA的电源电流脉冲。借助器件仿真工具，揭示了器件发生单粒子多位翻转效应的原因。结果表明，器件局部阵列发生单粒子闩锁效应并传播到多个位单元是诱发多位翻转的主要原因。通过对比分析脉冲激光和器件仿真实验结果，发现P/N阱电势塌陷是导致90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器出现单粒子闩锁传播效应的内在物理机制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩建伟	中国科学院国家空间科学中心	90	549	14.0	18.0
2	陈睿	中国科学院国家空间科学中心	35	512	12.0	22.0
6	余永涛	中国科学院国家空间科学中心	8	40	4.0	6.0
10	封国强	中国科学院国家空间科学中心	22	139	6.0	10.0
11	上官士鹏	中国科学院国家空间科学中心	12	54	4.0	6.0