圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟

• 作者: Zhang Rui 张瑞 张雪 王勇 范俊杰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 圆窗片 TE11模 次级电子倍增 Monte Carlo模拟
• 年，卷（期）: 2014,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 227901-1-227901-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.227901

摘要

基于Monte Carlo模拟算法，建立了粒子输运模型，通过对盒形窗内圆窗片表面次级电子倍增现象进行数值仿真，获得了TE11模非均匀分布电场作用下次级电子倍增的规律。结果表明：在微波输入端，指向窗片表面的磁场力起到了维持次级电子与窗片碰撞的作用，在电场强度较高的区域倍增剧烈，有质动力对倍增无贡献；在微波输出端，受背离窗片表面磁场力的影响，在表面静电场较弱的情况下，次级电子倍增不能发生；当表面静电场足以维持单面倍增的发生，随着传输功率的增大，电子渡越时间增长，有质动力使得倍增强烈的区域由强电场区逐渐转移到弱电场区域。对利用外静电场抑制微波输入端次级电子倍增效应的方法进行了数值模拟验证。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	507	5142	33.0	48.0
2	张瑞	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	62	318	11.0	14.0
3	张雪	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	37	172	6.0	12.0
7	范俊杰	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	7	15	3.0	3.0