关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究

• 作者: 冀子武 冯志红 吕元杰 徐明升 徐现刚 王绘凝 王雪松
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InGaN/GaN 发光效率 荧光峰位能量 内量子效率
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 127801-1-127801-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.127801

摘要

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构，并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性。结果显示，该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是“S形”的(降低-增加-降低)，并且最大发光效率出现在50 K左右。前者反映了InGaN阱层中势能的非均一性和载流子复合的局域特征，后者则表明了将极低温度下的内量子效率设定为100%的传统界定方法应当被修正。进一步的研究结果显示，发光效率不仅是温度的函数，同时也是注入载流子密度的函数。为此我们对传统的基于PL光谱测量来确定某结构(或器件)内量子效率的方法进行了修正：在不同温度下测量发光效率对注入载流子密度的依赖性，并将发光效率的最大值设为内量子效率是100%，这样，其他温度点和注入载流子密度点所对应的内量子效率也就随之确定。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
2	冯志红	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	6	13	3.0	3.0
3	冀子武	山东大学物理学院	4	6	2.0	2.0
4	徐明升	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	14	3.0	3.0
5	王雪松	山东大学物理学院	1	3	1.0	1.0
6	王绘凝	山东大学物理学院	2	5	2.0	2.0
7	吕元杰	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	1	3	1.0	1.0