Cu(In0.7Ga0.3)Se2薄膜太阳电池的研究

• 作者: 张项安 朱美玲 李苗苗 王鹏 胡筱
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: CIGS薄膜电池 Ⅰ-Ⅴ特性 测控溅射 电学性能 光学性能
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1634-1636,1674
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3586字
• 语种: 中文

摘要

采用直流溅射方法研究Cu(In0.7Ga0.3)Se (CIGS)薄膜太阳电池的背电极Mo薄膜、吸收层CIGS薄膜、缓冲层ZnS薄膜以及窗口层ZnO∶Al(ZAO)薄膜的制备条件,并利用XRD、AFM和SEM对薄膜表面形貌进行表征.根据实验结果制备了性能良好的CIGS薄膜电池,并初步研究了电池的Ⅰ-Ⅴ特性,研究发现制备的太阳电池的填充因子大概为36％,并分析影响填充因子的原因.通过反复研究CIGS薄膜电池的制备条件,为制备高效CIGS薄膜电池奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张项安		4	38	3.0	4.0
2	王鹏		15	57	3.0	7.0
3	胡筱		2	1	1.0	1.0
4	朱美玲		4	6	1.0	2.0
5	李苗苗	河南师范大学物理与信息工程学院	7	21	2.0	4.0