GaAs（001）薄膜表面形貌相变过程

• 作者: 丁召 周勋 王一 王继红 罗子江 郭祥 魏文喆
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: STM GaAs 薄膜 形貌相变 表面重构 As BEP
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 9088-9091
• 页数: 4页
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 3089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.09.019

摘要

采用 STM 以及 RHEED 技术对于 GaAs (001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过 GaAs (001)在不同 As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是 GaAs (001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态；多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式；当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州财经大学教育管理学院	46	63	4.0	6.0
5	王继红	贵州大学理学院	24	46	3.0	5.0
6	郭祥	贵州大学理学院	25	32	3.0	4.0
7	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0
8	周勋	贵州财经大学教育管理学院	65	213	6.0	12.0
10	王一	贵州大学理学院	17	17	2.0	3.0
11	魏文喆	贵州大学理学院	6	12	2.0	3.0