Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率

• 作者: 丁文 云峰 侯洵 刘硕 张烨 王宏 王越 赵宇坤 郭茂峰 黄亚平
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: p-GaN 欧姆接触 反射率 快速退火
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 127302-1-127302-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.127302

摘要

研究了不同Ni厚度的Ni/Ag/Ti/Au电极在不同退火温度和退火气氛下与p-GaN之间的欧姆接触性能以及电极的光反射率的变化.采用矩形传输线模型对各电极的比接触电阻率进行测算,利用分光光度计对电极在不同波长下的反射率进行测量.结果表明, Ni金属层的厚度越小,电极的光反射率越高,而Ni层厚度对比接触电阻率的影响较小；当退火温度高于400?C后,电极的光反射率降低,在氧气氛围中退火后光反射率比在氮气中退火后下降更加明显.但在氧气氛围中退火有利于减小比接触电阻率.综合考虑接触电阻和光反射率,电极Ni(1 nm)/Ag/Ti/Au在400?C氧气中快速退火后得到了较好的结果,其比接触电阻率为5.5×10-3?·cm2,在450 nm处反射率为85%.利用此电极制作了垂直结构发光二极管(LED)器件, LED在350 mA注入电流下,工作电压为3.2 V,发光功率为270 mW,电光转换效率达到24%.