ZnO基电阻存储材料的研究与进展

• 作者: 何丹农 卢静 尹桂林 李争
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻存储器 电阻开关效应 ZnO基材料
• 年，卷（期）: 2014,（23）
• 所属期刊栏目: 新材料新技术
• 页码范围: 104-107,117
• 页数: 5页
• 分类号: TB321|TB34
• 字数: 4908字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2014.23.022

摘要

在电阻存储技术的快速发展中,电阻存储材料是其发展的关键基础.因此探索新型、高效、环保的电阻存储材料是推进电阻存储技术发展的研究热点.ZnO自身具备优异的光学特性,结合可调控的电学、磁学特性,被誉为最有应用潜力的电阻存储材料.扼要介绍了ZnO基电阻存储材料的研究概况,结合大数据时代信息存储的背景回顾了ZnO基存储材料的研究进展、物理机制,对以往的研究工作进行了归纳与总结,并阐述了未来的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何丹农	上海交通大学材料科学与工程学院	116	1094	18.0	28.0
5	尹桂林	上海交通大学材料科学与工程学院	13	75	4.0	8.0
7	李争	上海交通大学材料科学与工程学院	3	13	2.0	3.0
11	卢静		3	8	2.0	2.0