一种二氧化锰薄膜的简易合成及其增强的电容性能

• 作者: 王东明 谭轶巍
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: 超电容 过渡金属 二氧化锰 薄膜 金
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 45-47,66
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

采用简单的水热法合成出了二维花状δ-MnO2纳米结构,通过引入Au3+离子原位得到了新颖的多孔二氧化锰薄膜结构.并采用XRD、SEM、TEM和BET对样品进行了表征.分析表明Au3+离子导致了二氧化锰形貌和结构的演变.多孔二氧化锰薄膜具有较大的比表面积146.49m2/g.在含有1mol/LNa2SO4的三电极电解池中采用循环伏安法和恒电流充放电法对样品的电化学性能进行评价.多孔二氧化锰薄膜相比于二维花状δ-MnO2展现出了理想的电容行为和较高的比电容(302 vs.212F/g),多孔二氧化锰薄膜电容性能的提高是由于其较高的比表面积,多孔孔道和连续的电子传导氧化物骨架共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王东明		2	1	1.0	1.0
2	谭轶巍		5	2	1.0	1.0