ALSI或ALSICU刻蚀后硅渣残留去除方式的研究

• 作者: 张锐 朱爱兵 李方华 李明 陈定平
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 半导体生产 金属刻蚀 干法去硅渣 湿法去硅渣
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件 -- 电子元器件设计与应用
• 页码范围: 98-100
• 页数: 3页
• 分类号: TN964-34
• 语种: 中文

摘要

半导体器件制造中会用到ALSI或ALSICU做金属连线，ALSI或ALSICU里一般含有0.5%~1%的Si，目的是防止ALSI互融造成PN junction spiking，但引入Si、金属连线刻蚀后会有硅渣析出，刻开区分布不规则的小黑点，影响表观。比较和分析了目前半导体制造行业几种去硅渣方式的机理和优缺点，同时提出一种新的高效的干法去硅渣方式。在上述分析的基础上，标准化了去硅渣工艺，提出的去硅渣标准流程，对半导体制造具有广泛的指导作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈定平		2	0	0.0	0.0
2	李明		2	0	0.0	0.0
3	李方华		1	0	0.0	0.0
4	朱爱兵		1	0	0.0	0.0
5	张锐		1	0	0.0	0.0