电离辐射环境下金属-铁电-绝缘体-基底结构铁电场效应晶体管电学性能的模拟

• 作者: 吴传禄 周益春 李建成 蒋丽梅 马颖
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 总剂量 剂量率 电容 漏源电流
• 年，卷（期）: 2014,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 300-306
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.216102

摘要

本文利用改进的米勒模型模拟了金属-铁电-绝缘体-基底结构铁电场效应晶体管在电离辐射环境下的铁电薄膜极化、界面电荷密度和电荷迁移率，最终得出在不同辐射总剂量和辐射剂量率下，铁电场效应晶体管的电容和漏源电流曲线。计算结果表明，总剂量为10 Mrad时，对铁电场效应晶体管的漏源电流和电容影响甚微；总剂量为100 Mrad (1 rad=10-2 Gy)时，对其有很明显的影响。当辐射的剂量率发生变化时，铁电场效应晶体管的电流和电容也会发生改变。模拟结果表明，铁电场效应晶体管有较强的抗辐射能力。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周益春	湘潭大学材料科学与工程学院	108	552	11.0	21.0
3	李建成	国防科技大学电子科学与工程学院	19	157	7.0	12.0
4	马颖	湘潭大学材料科学与工程学院	12	30	3.0	5.0
8	蒋丽梅	湘潭大学材料科学与工程学院	8	7	2.0	2.0
11	吴传禄	湘潭大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0