He离子辐照6H-SiC引入缺陷的光谱研究

• 作者: 姚存峰 孙建荣 宋鹏 崔明焕 常海龙 庞立龙 张宏鹏 朱亚滨 朱卉平 李炳生 李远飞 杜洋洋 王志光 王栋 王霁
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 6H-SiC 氦泡 拉曼散射光谱 紫外可见透射光谱
• 年，卷（期）: 2014,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 290-299
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.216101

摘要

实验采用300 keV的He2+辐照6H-SiC,辐照温度分别为室温,450,600和750?C,辐照剂量范围为1×1015-1×1017 cm-2,辐照完成后对样品进行拉曼散射和紫外可见透射光谱测试与研究。这两种分析方法的实验结果表明, He离子辐照产生的缺陷以及缺陷的恢复与辐照剂量和辐照温度有着直接关系。室温下辐照会使晶体出现非晶化,体现在拉曼特征峰消失,相对拉曼强度达到饱和(同时出现了较强的Si-Si峰)；高温下辐照伴随着晶体缺陷的恢复过程,当氦泡未存在时,高温辐照很容易导致Frenkel对、缺陷团簇等缺陷恢复,当氦泡存在时,氦泡会抑制缺陷恢复,体现在相对拉曼强度和相对吸收系数曲线斜率的变化趋势上。本文重点讨论了高温辐照情况下氦泡对缺陷聚集与恢复的影响,并与高温下硅离子辐照碳化硅结果进行了对比。