电阻率对硅衬底微波传输特性影响分析

• 作者: 刘勇
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 电阻率 硅衬底 微带线 插入损耗
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 计算机应用技术 -- 科学计算与信息处理
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文

摘要

针对传统硅衬底介质损耗大的现象，通过软件电磁仿真手段分析不同电阻率硅衬底上微带线的传输特性，系统研究电阻率变化对硅衬底微波传输特性的影响，并与基于MEMS三维加工的低阻硅衬底进行比较。在30 GHz频率范围内，当硅衬底电阻率从10Ω·cm提升至4000Ω·cm时，微带线插入损耗从20 dB/cm降低至0.6 dB/cm。电阻率大于100Ω·cm的高阻硅衬底微波传输特性优于带MEMS空腔的10Ω·cm低阻硅衬底。结果表明提升电阻率可有效降低硅衬底微波传输损耗，结合低成本成熟工艺等优点，高阻硅衬底具有广阔的微波集成应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘勇	中国电子科技集团公司第三十八研究所	32	121	6.0	9.0