基于Cu/SiOx/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究

• 作者: 吕联荣 周立伟 张楷亮 王建云 蒋浩 赵金石 邵兴隆 陈然 陈长军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 阻变存储器 SiOx薄膜 多值存储 阻变机理
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 067202-1-067202-8
• 页数: 1页
• 字数: 1833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.067202

摘要

采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件。用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量,结果表明其具有明显的阻变特性,并且通过调节限制电流,得到了四个稳定的阻态,各相邻阻态的电阻比大于10,并且具有良好的数据保持能力。在不同温度条件下对各个阻态进行电学测试及拟合,明确了不同阻态的电子传输机理不尽相同：阻态1和阻态2为欧姆传导机制,阻态3为P-F (Pool-Frenkel)发射机制,阻态4为肖特基发射机制。根据电子传输机制,建立了铜细丝导电模型并对Cu/SiOx/Al阻变存储器件各个阻态的电致阻变机制进行解释。