P掺杂硅纳米管电子结构与光学性质的研究

• 作者: 余志强 张昌华 郎建勋
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 第一性原理 硅纳米管 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 067102-1-067102-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.067102

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了P掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光学性质的影响。结果表明：经过P掺杂，单壁扶手型硅纳米管的能带结构从间接带隙变为直接带隙，其价带顶主要由Si-3p态电子构成，导带底主要由Si-3p态电子和Si-3s态电子共同决定；同时通过P掺杂，使单壁扶手型硅纳米管的禁带宽度变窄，导电性增强，吸收光谱产生红移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张昌华	湖北民族学院电气工程系	28	131	6.0	10.0
2	郎建勋	湖北民族学院电气工程系	15	20	2.0	3.0
3	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0