H2气氛退火处理对Nb掺杂TiO2薄膜光电性能的影响

• 作者: 张彬 牛巧利 王伟丽 章勇 董军 邹贤劭
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Nb掺杂TiO2 电子束沉积 退火 薄膜
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 068102-1-068102-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.068102

摘要

采用电子束沉积方法,以钛酸锶(SrTiO3)为衬底制备铌(Nb)掺杂TiO2薄膜并研究后续H2气氛退火处理对其薄膜样品光电性能的影响.结果发现H2气氛热退火处理能有效改善Nb掺杂TiO2薄膜的导电率,最佳电阻率达到5.46×10-3?·cm,在可见光范围内的透光率为60%-80%.导电性能的改善与H2气氛退火处理后多晶薄膜的晶粒尺寸变大和大量的氧空位形成及H原子掺杂有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0
2	牛巧利	华南师范大学光电子材料与技术研究所	10	16	3.0	3.0
3	张彬	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	8	1.0	1.0
4	王伟丽	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	8	1.0	1.0
5	邹贤劭	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	8	1.0	1.0
6	董军	华南师范大学光电子材料与技术研究所	2	8	1.0	2.0