N vacancy, substitutional O, and Al defects in the bandgap of composition-tunable nonstoichiometric AlN powder

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篇名	N vacancy, substitutional O, and Al defects in the bandgap of composition-tunable nonstoichiometric AlN powder
来源期刊	中国物理B（英文版）	学科
关键词	Ⅲ-Ⅴ semiconductors defects optical properties luminescence
年，卷（期）	2014,（6）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	554-562
页数	9页	分类号
字数		语种	中文
DOI	10.1088/1674-1056/23/6/067803

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