电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响

• 作者: 宋庆文 张义门 张玉明 杨帅 汤晓燕
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SiC 半超结 电荷失配
• 年，卷（期）: 2014,（20）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 208501-1-208501-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.208501

摘要

SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P柱是制造SiC半超结VDMOSFET 的关键工艺.本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET 击穿电压的影响，在电荷失配程度为30%时出现半超结VDMOSFET的最大击穿电压.在本文的器件参数下， P柱浓度偏差导致击穿电压降低15%时，半超结VDMOSFET柱区浓度偏差范围相对于超结VDMOSFET可提高69.5%，这意味着半超结VDMOSFET对柱区离子注入的控制要求更低，工艺制造难度更低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件实验室	126	777	15.0	20.0
3	杨帅	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件实验室	4	13	2.0	3.0
4	汤晓燕	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件实验室	24	144	7.0	11.0
5	宋庆文	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	5	30	2.0	5.0