对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型

• 作者: 刘红侠 王树龙 范小娇 辛艳辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 表面势 阈值电压
• 年，卷（期）: 2014,（14）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 148502-1-148502-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.148502

摘要

提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构，为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型，并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响，讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致势垒降低效应的影响，对该结构器件与单材料双栅结构器件的性能进行了对比研究。结果表明，该结构能进一步提高载流子的输运速率，更好地抑制漏致势垒降低效应。适当优化三材料栅的栅长比率，可以增强器件对短沟道效应和漏致势垒降低效应的抑制能力。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	辛艳辉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	30	131	6.0	10.0
4	王树龙	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	5	2.0	2.0
7	范小娇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	9	2.0	2.0