刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

• 作者: Wang Yong 张雪 王勇 范俊杰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 盒形窗 半圆弧槽 次级电子倍增 蒙特卡罗模拟
• 年，卷（期）: 2014,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 227902-1-227902-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.227902

摘要

为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应，研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构。通过对槽内电场进行分析，证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应。利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟，跟踪次级电子的轨迹及发展趋势，获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度。讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响。该结构有望在高功率速调管中获得应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	507	5142	33.0	48.0
2	张雪	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	37	172	6.0	12.0
6	范俊杰	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	7	15	3.0	3.0