基于二元饱和度的信号交叉口延误分析

• 作者: 张帅 方中奇 王营冠
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 通行能力 Veins 延误分析 信号交叉口 单相位延误模型
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 电子技术应用
• 页码范围: 140-144
• 页数: 5页
• 分类号: TN911.7-34
• 语种: 中文

摘要

为提高信号交叉口通行能力，利用二元饱和度方法，对交叉口单相位的车辆做延误分析，推导了适用于任意交通情况的路口延误模型，并对该模型进行算例分析。通过基于传统饱和度与二元饱和度控制约束条件下仿真对比验证，本延误模型计算简单易实现、在较高饱和度下路口车辆排队长度比传统饱和度控制方式短，另外时延也得到一定改善。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张帅	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	58	363	8.0	18.0
2	王营冠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	71	470	10.0	18.0
3	方中奇	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	1	1	1.0	1.0