高剂量As离子注入对高阻Si电学特性的影响*

• 作者: 吴惠桢 张兵坡 戴宁 朱贺 王淼 胡古今
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 硅电极材料 离子注入 低电阻率 微观结构
• 年，卷（期）: 2014,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 136803-1-136803-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.136803

摘要

为了实现低电阻率厚度为纳米级的红外探测器电极材料,通过离子注入的方法将高浓度的As掺入高阻单晶硅,并经过快速退火处理,获得了厚度～200 nm、电阻率为10-4?·cm的Si：As电极层.原子力显微镜测试结果表明,离子注入的样品表面依然较平整,表面均方根粗糙度仅为0.5 nm.使用聚焦离子束设备(FIB)制备高分辨透射电镜(HRTEM)样品,高浓度的As掺入虽然会损伤Si晶格、引入大量的缺陷,但是HRTEM观察表明合适的退火工艺能够使得完整晶格得到恢复,而且霍尔效应和扩展电阻的测量分析表明,用离子注入方法制备的Si：As层载流子浓度达到2.5×1020 cm-3、电子迁移率高于40 cm2/V·s,具有优异的电学性能,适合用作各种Si基光电器件的背电极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王淼	浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室	59	761	12.0	26.0
2	吴惠桢	浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室	37	219	9.0	12.0
3	戴宁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	55	315	11.0	15.0
4	张兵坡	浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室	5	33	4.0	5.0
5	胡古今	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	11	25	3.0	4.0
6	朱贺	浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室	3	5	1.0	2.0